重庆江津供电公司数字化智能仓库投运

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研究结果表明基于该共亲水化活化技术不会恶化混合表面的表面微观形貌，江津能够在Cu和SiO2表面同时构建亲水性官能团以改善表面亲水性，江津且无机溶液的采用保证了SiO2-SiO2键合界面无碳元素富集，消除了因元素分解导致界面弱化的隐患，进而改善了SiO2-SiO2键合界面质量为混合键合结构提供牢固机械支撑，具备长期服役的可行性。该共亲水化键合方案一方面能够在Cu和SiO2表面同时构建亲水性的-OH和-NH2官能团，供电公司促进界面低温下闭合。

三维集成技术在垂直方向上依靠微凸点结构堆叠芯片能够有效缩短芯片间互连间距，数字由此建立了基于先进封装延续摩尔定律的新方向。高密度的芯片三维集成依赖于细节距的垂直互连结构，化智基于Cu/SiO2混合键合技术能够实现多层芯片的超高密度键合，化智是目前基于冯·诺依曼架构下缩短片间互连，提升算力与带宽，降低延迟与功耗的关键技术。同样，库投对于SiO2表面，库投其未经活化的表面由Si-O和Si-O-Si结构交替构成，活化后表面Si-O-Si键密度增加的同时表面新形成了-NH2官能团，与表面能变化结果相吻合，证实了混合表面在经过两步协同活化后均成功构建了亲水性官能团，即表面实现共亲水化。

重庆降低键合温度的本质在于控制Cu和SiO2表面化学状态。【通讯作者介绍】王晨曦，江津哈尔滨工业大学材料科学与工程学院教授，博士生导师，IEEESeniormember。

【第一作者介绍】康秋实，供电公司哈尔滨工业大学材料科学与工程学院博士研究生，本硕博均就读于哈尔滨工业大学材料学院。

然而，数字Cu-Cu和SiO2-SiO2低温键合所需的理想表面状态难以兼容（如无氧化的Cu表面和亲水的SiO2表面），数字因此难以通过单一的活化方法直接实现低温混合键合。化智(f)PD的水下Iphoto-t循环测试。

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